Oczyszczarka plazmowa - Sekcja Mikroskopii Elektronowej

Idź do spisu treści

Menu główne:

Oczyszczarka plazmowa

Plasma Cleaner Model 1020
Plasma Cleaner Model 1020

Oczyszczarka plazmowa (Plasma Cleaner  Model 1020) służy głównie do szybkiego czyszczenia próbek przed ich włożeniem do mikroskopu elektronowego. Czyszczenie plazmowe pozwala zarówno usunąć istniejące na próbce zabrudzenia węglowe, jak również zapobiega przed zanieczyszczeniem podczas obrazowania i analizy.
Niskoenergetyczna, sprzężona indukcyjnie plazma o wysokiej częstotliwości w efektywny sposób pozwala oczyścić powierzchnię próbki bez zmiany jej składu pierwiastkowego i charakterystyki strukturalnej. Czas oczyszczania plazmowego nawet bardzo zanieczyszczonych próbek jest mniejszy niż dwie minuty.

Model 1020, będący na wyposażeniu Pracowni Mikroskopii Elektronowej jest przystosowany do używanych komercyjnie holderów do elektronowych mikroskopów skaningowych i transmisyjnych. W aparacie możliwe jest oczyszczanie próbek przed obrazowaniem i analizą SEM, TEM, AFM, EDX, EELS, EDBS.

 

 

 

 
 
Podstawowe parametry aparatu

Układ plazmowy

  • oscylujące pole elektromagnetyczne o częstości 13.56 MHz

  • komora oczyszczarki zbudowana z kwarcu i stali nierdzewnej

  • energia jonów mniejsza niż 12eV

Układ próżniowy

  • bezolejowa pompa turbomolekularna ze wsparciem wielostopniowej pompy membranowej

  • próżnia końcowa 1*10-7 mbar

Gazy robocze

  • 25% tlen, 75% argon

  • ciśnienie nominalne 200 kPa

Kompatybilność

  • FEI/Philips

  • Hitachi, JEOL

  • Zeiss/LEO

  • Topcon

 

 
 
Możliwości i zastosowania

Czyszczenie plazmowe jest efektywną, ekonomiczną i bezpieczną dla środowiska naturalnego metodą czyszczenia powierzchni. Czyszczenie z zastosowaniem plazmy tlenowej pozwala na usunięcie naturalnych i technicznych zanieczyszczeń organicznych z różnego typu powierzchni. Czyszczenie plazmowe jest sześciokrotnie bardziej efektywne niż tradycyjne metody czyszczące, a oczyszczona powierzchnia jest gotowa do dalszych operacji bez znaczącej utraty materiału.
Do czyszczenia powierzchni metali najczęściej używa się mieszanki argonu (75%) i tlenu (25%).
Elektrony przyspieszane do bardzo dużych prędkości przez oscylujące pole elektromagnetyczne powodują wzbudzenie atomów i cząsteczek gazu i w rezultacie generują plazmę. Energia oddziaływania jonów w plazmie z powierzchnią jest mniejsza niż 12eV, co nie powoduje napylania jonowego.
Promieniowanie ultrafioletowe generowane podczas wytwarzania plazmy jest bardzo efektywne, jeśli chodzi o zrywanie wiązań większości wiązań związków organicznych zanieczyszczających powierzchnię. Kolejny etap czyszczenia polega na reakcji różnych form tlenu występującego w plazmie (jony, cząsteczki, rodniki) z zanieczyszczeniami organicznymi (patrz Rys. 1).
Efektem takich reakcji są głównie cząsteczki wody i tlenku węgla (IV), które w sposób ciągły są usuwane z komory oczyszczarki plazmowej.

 
Rys. 1 Czyszczenie powierzchni za pomocą plazmy.
 

 

 
 
Galeria
 

Aktualizacja 2014-01-20

Poprawny CSS!

Wróć do spisu treści | Wróć do menu głównego